WAlN-SA400规格书
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版本:2018-10-20

湖北深紫科技有限公司

产品规格书
SPECIFICATIONS

深紫外核心材料 · AlN外延片/模板

WAlN-SA400

2~3 μm,(002) ≤ 80 arcsec,(102) ≤ 80 arcsec

SA400

湖北深紫科技有限公司

Hubei DUVTek Co., LTD.

湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道9号东湖高新科技创意城B08栋
Building B08, Donghu High-tech Innovation City, No. 9 Fenghuang Avenue, Wutong Lake New District, Ezhou, Hubei, China

  • 规格参数 Characteristics
  • 性能 Properties 参数值 Value
    ?#26412;?Diameter50.8±0.05 μm
    外延层厚度 Epilayer Thickness2~3 μm
    (002) 晶体质量 Crystal quality (FWHM of 002 XRC)≤ 80 arcsec
    (102) 晶体质量 Crystal quality (FWHM of 102 XRC)≤ 400 arcsec
    正面粗糙度 Front side roughness≤ 2 nm
    边缘扣除 Edge exclusion≤ 3 mm
    贯穿裂纹 Through Cracknone
    衬底厚度 Substrate Thickness430±20 μm
    a面(11-20)取向 Surface orientation of a-plane0°±0.1°
    m面(11-20)取向 Surface orientation of m-plane0.2°±0.1°
    定位边晶向 Primary flat orientationa-plane±0.1°
    定位边长度 Primary flat length16±1mm
    反面粗糙度 Back side roughness0.8±0.2 μm

    深紫科技,芯片级深紫外LED?#26412;?#25216;术开拓者

    斯特拉斯堡大学
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