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湖北深紫科技有限公司

深紫外LED产品目录
PRODUCT CATALOG

芯片级深紫外LED紫外杀菌技术开拓者

主营深紫外UVC-LED相关产品,270~280nm,2~10mW,60/120°出光角,3535封装灯珠

湖北深紫科技有限公司

Hubei DUVTek Co., LTD.

湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道9号东湖高新科技创意城B08栋
Building B08, Donghu High-tech Innovation City, No. 9 Fenghuang Avenue, Wutong Lake New District, Ezhou, Hubei, China

湖北深紫科技有限公司,坐落于梁子湖畔的东湖高新科技创意城,是国内高品质深紫外LED核心芯片、器件及其应用产品解决方案的的核“芯”科技企业。

湖北深紫科技有限公司专注于深紫外LED外延、芯片、模组及产品的研发、生产和销售,产品主要针对于水、空气的杀菌净化、食物保?#30465;?#35745;测光源、光学医疗、保密通讯等领域的需求。公司拥有近千平的千?#27602;?#21270;厂房,拥有包括外延生长、芯片制备及封装老化测试在内的完备的深紫外LED生产线,国际领先的技术研发能力?#32479;?#29087;的生产工艺。在高温MOCVD设备、材料生长、芯片制备、器件封装等方面拥有多项核心知识产权。公司拥有一支由归国博士、博士后、高级工程师及资深技术人员组成的高水平研发技术团队,具有丰富的深紫外LED技术研发和生产实践经验。公司与国际知名实验室协同开发,具?#36171;?#32493;的技术创新能力,保证了公司产品的高品质和技术的先进性。凭借优秀的研发团?#21360;?#20016;富的行业经验,公司已自主研发出高效率深紫外LED(波长范围260nm-310nm)芯片器件及其相关应用产品系?#22330;?

深紫科技以振兴民族高新技术产业为己任,秉承创新、开拓、超?#20581;?#36861;求卓越的工作精神,致力于成为全球深紫外LED核心器件及其应用产品解决方案顶尖供应商。

?#33455;?#25104;果

200余篇相关学术?#33455;?#35770;文

19项核心技术专利申请

?#33455;?#25104;果

6项已授权,13项发明专利申请

权威认证

光功率由第三方权威机构认证

深紫科技UVC-LED通过IP68认证

权威认证

国家光电?#26377;畔?#20135;品质量监督检验中心

同行认可

团队成员多次受邀参加国内外学术会议,

进行国内外学术报告,受到同行广泛关注。

同行认可

诺贝尔奖获得者中村修二与团队带头人陈长清博士进行紫外LED技术探讨

产品型号 产品类别 产品图片 晶体质量 (002) 晶体质量 (102) 外延层厚度 表面粗糙度 边缘扣除 规格书
WAlN-SA400 Sapphire/AlN外延片/模板 SA400 ≤ 80 arcsec ≤ 400 arcsec 2~3 μm ≤ 1 nm ≤ 3 mm 规格书下载图片
WAlN-NS400 NPSS/AlN外延片/模板 NS400 ≤ 200 arcsec ≤ 200 arcsec ≥ 5 μm ≤ 1 nm ≤ 3 mm 规格书下载图片
WAlN-SC001 SiC/AlN外延片/模板 SC001 50~5000 nm 规格书下载图片
WAGN-AN001 AlGaN外延片/模板 AN001 ≤ 300 arcsec ≤ 500 arcsec 1~2 μm ≤ 2 nm ≤ 3 mm 规格书下载图片
认证级 产品型号 产品外观 峰值波长 光功率 驱动电流 工作电压 封装形式 出光角 规格书
工业级 L280-QSC1F20M001 QSC1F20M001 270~280 nm 2~4 mW 40 mA 5~7 V 3737 60° 规格书下载图片
工业级 L280-QSC1F30A700 QSC1F30A700 270~280 nm 8~12 mW 100 mA 5~7 V 3737 60° 规格书下载图片
商业级 L280-PSM1F20M001 PSM1F20M001 270~280 nm 2~4 mW 40 mA 5~7 V 3737 120° 规格书下载图片
工业级 L280-QSC1F20M001-120° QSC1F20M001-120° 270~280 nm 2~4 mW 40 mA 5~7 V 3737 120° 规格书下载图片

深紫外UVC-LED灯珠详细规格

品名 灯珠焊盘 Item Symbol Unit Value
QSC1F20M001
3737封装,3.7×3.7×3.1 mm
氮化铝陶瓷支架,半球透镜
QSC1F20M001
峰值波长 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 2~4
驱动电流 Forward Current If mA 40
工作电压 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 60
最大工作电流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 40 mA)
无散热条件下测试,实际使用环境应低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上数据仅供参考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驱动电流与归一化光功率的关系
品名 灯珠焊盘 Item Symbol Unit Value
QSC1F30A700
3737封装,3.7×3.7×3.1 mm
氮化铝陶瓷支架,半球透镜
QSC1F30A700
峰值波长 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 8~12
驱动电流 Forward Current If mA 100
工作电压 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 60
最大工作电流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 100 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 100 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 100 mA)
无散热条件下测试,实际使用环境应低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上数据仅供参考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驱动电流与归一化光功率的关系
品名 灯珠焊盘 Item Symbol Unit Value
PSM1F20M001
3737封装,3.7×3.7×1.5 mm
氧化铝陶瓷支架,平面硅胶
PSM1F20M001
峰值波长 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 2~4
驱动电流 Forward Current If mA 40
工作电压 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 120
最大工作电流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 40 mA)
无散热条件下测试,实际使用环境应低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上数据仅供参考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驱动电流与归一化光功率的关系
品名 灯珠焊盘 Item Symbol Unit Value
QSC1F20M001-120°
3737封装,3.7×3.7×1.5 mm
氮化铝陶瓷支架,平面透镜
QSC1F20M001-120°
峰值波长 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 2~4
驱动电流 Forward Current If mA 40
工作电压 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 120
最大工作电流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 40 mA)
无散热条件下测试,实际使用环境应低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上数据仅供参考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驱动电流与归一化光功率的关系

深紫科技,芯片级深紫外LED紫外杀菌技术开拓者

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